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电子元器件详细资料 » IC[28267] » STB11NM60T4
型号:STB11NM60T4类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
系列MDmesh™
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C450 毫欧 @ 5.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1000pF @ 25V
功率_最大160W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市欧立现代科技有限公司林小姐 胡先生 张先生0755-83222787/23999932
深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
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